| 規 格：5CC |
型 號：2010s |
數 量： |
| 品 牌：金泰諾 |
包 裝：針筒 |
價 格：面議 |
例名稱：國產EPO-TEK H20E芯片封裝電路組裝用導電銀膠 應用領域: 芯片封裝、電子及PCB電路組裝、光電封裝等要求導電導熱場景，可替代進口EPO-TEK H20E 要求： 銀膠無溶劑，固含，具有低收縮性并具有耐高溫性，短時間可耐300℃高溫。除此之外，還具有高導熱、高可靠性等特點 應用點圖片： 
解決方案：國產2010S單組份導電銀膠 2010S是一款以高純銀粉為導電介質的單組份環氧樹脂銀膠，該導電銀膠無溶劑，固含，因此具有低收縮性并具有耐高溫性，短時間可耐300℃高溫。除此之外，還具有高導熱、高可靠性等特點，可應用于芯片封裝、電子及PCB電路組裝、光電封裝等。 特點 · 單組分 · 高耐溫性能，可長期服務于200℃ · 固含，無溶劑 · 適用期達到65h · 優異的粘接性能 · 低吸濕性，高可靠性 · 導電性能 屬性 測量值 | 測試方法 | 外觀 | 銀灰色漿液 | / | 導電填料 | 銀 | / | 粘度(25℃,mPa · s) | 17000 | Brookfield,DV2T, 5rpm | 比重 | 3.2 | 比重瓶 | 觸變指數 | 5.0 | 0.5rpm/5rpm | 體積電阻率(Ω · cm) | 0.0002 | 四探針法 | 剪切推力， Kg, 25℃ | 14.0 | DAGE,(2×2mm, Ag/Au LF) | 剪切推力， Kg, 260℃ | 2.0 | DAGE,(2×2 mm, Ag/Au LF) | 玻璃轉變溫度(℃) | 101 | DMA | 線性膨脹系數， ppm/℃ | α1:36 α2:175 | TMA | 儲能模量，MPa, 25℃ | 5200 | DMA | 導熱系數，W/m-k | 3.2 | Laser Flash | 吸水率，% | 0.4 | 85℃,85%RH |
熱分解溫度 420℃(TGA 測試，N₂ 氣氛) 熱失重 @200℃: 0.5 wt% @250℃: 0.9 wt% @300℃: 1.8 wt% 離子含量 CI": 75 ppm Na*: NG K: NG NH4*: 95 ppm 固化條件 1h@150℃ 低可替代固化條件(不能達到佳性能) 45 s@175℃ 5 min @150℃ 15 min @120℃ 使用說明 適用工藝 工作時間窗口 回溫 脫泡 | 點膠 60 h@25℃; 室溫下自然回溫1h 建議回溫后進行脫泡處理 |
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