射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子自動(dòng)匹配, 固定匹配網(wǎng)絡(luò). 離子源 RF2100ICP 適用于預(yù)清潔, 氧化和氮化處理, 輔助沉積, 以及各類半導(dǎo)體材料, 磁性金屬等的制備.
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電激活等離子體: 產(chǎn)生 O₂, N₂ 反應(yīng)等離子束
寬束發(fā)散等離子束(準(zhǔn)中性): 大出口平面孔徑, 提高覆蓋范圍和均勻性
輸出低能量離子: 大限度地減少襯底損壞
無提取柵網(wǎng): 減少復(fù)雜性, 降低維護(hù)成本和潛在污染源
可靠的等離子點(diǎn)火電路: 專用電子源僅在等離子體啟動(dòng)時(shí)開啟
離子源自動(dòng)控制和調(diào)節(jié): 自動(dòng)排序和射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水泄漏的風(fēng)險(xiǎn)
適用于不同的轟擊距離: 一般為 15 至 45厘米
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數(shù)
Dishcharge | 電感耦合 |
RF discharge power | 600W |
輸出電流 | > 500mA (取決于功率,壓力和氣體) |
通 Ar 能量范圍 | 5-50V (取決于功率和壓力) |
等離子尺寸@源打開 | 14cmφ |
離子束形狀 | 發(fā)散 |
點(diǎn)火 | 電子源 |
氣體 | Ar, O₂, N₂, H₂/Ar blend |
壓力 | 0.5-10mTorr (取決于氣體種類) |
氣體流量 | 5-60sccm (取決于抽速, 氣體, 壓力和功率) |
冷卻 | 無水冷卻 |
一般高度 | 9.25” (23.5cm) |
直徑 | 7.675” (19.5cm |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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